Sisb 基相变材料用化学机械抛光液

        基相变材料用化学机械抛光液是对SiSb基相变材料进行处理，不仅可控制抛光速率，还能保证表面质量优良且损伤极低。这一技术完全符合纳电子相变存储器中CMP工艺的要求，为制造高品质产品提供了有力保障。那么，基相变材料用化学机械抛光液是怎么调制而成呢？来看看专家李东光的专业配备方案。

制备方法
       将各组分溶于水混合均匀即可。

原料配伍
       本品各组分质量份配比范围为:含氧化物抛光颗粒0.2~30、氧化剂0.01~5、表面活性剂0.01~4、有机添加剂0.01~3、pH 调节剂1~11、水加至 100。

所述的含氧化物抛光颗粒为氧化铝、氧化铈、氧化锆、氧化钛或胶体氧化硅，粒径范围10~1500nm;优选的粒径范围是30~200nm。

所述的氧化剂为铁氰化钾、双氧水或过硫酸铵。

所述的表面活性剂为聚氧乙烯硫酸钠(AES)、聚丙烯酸钠、聚氧乙烯醚磷酸酯、烷基醇聚氧乙烯基醚或十六烷基三甲基溴化铵。

所述的有机添加剂为乙酸、蚁酸、草酸、柠檬酸、对苯二酸、水杨酸、脯氨酸、氨基乙酸、丁二酸或酒石酸。

所述的 pH 调节剂为硝酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二胺或四甲基氢氧化铵，pH值的范围1~11。

产品应用
       本品主要应用于SiSb基相变材料化学机械抛光。

产品特性

通过本品提供的化学抛光浆液，SiSb基相变材料的抛光速率可控制在5~2000nm/min，同时表面粗糙度降低到了0.7nm以下，利用该抛光液对SiSb基相变材料进行抛光，抛光速率可控、表面质量好且损伤低，可满足制备纳电子相变存储器中 CMP工艺的需要。
      

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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