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化学机械抛光液(19)

2024-07-26 10:37:12        作者:李东光    浏览:

本品化学机械抛光液(19)能减少表面的凹陷,同时提高多晶硅的平坦化效率,是源自于化学机械抛光液(19)的较低多晶硅去除速率,以及多晶硅对二氧化硅的去除速率选择比。下面给大家介绍化学机械抛光液(20)是怎么调制而成的呢?不妨看看专家的专业配方。

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制备方法

将各组分混合均匀,采用氢氧化钾和硝酸调节至合适的pH值即可。

原料配伍

本品各组分质量份配比范围为:研磨颗粒0.1~30、聚合物0.0001~3、水加至100。

所述研磨颗粒可选自二氧化硅、氧化铝、掺杂铝的二氧化硅、覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛和高分子研磨颗粒中的一种或多种。研磨颗粒的粒径较佳的为20~150nm,更佳的为30~120nm。

所述聚合物优选葡聚糖和/或聚蔗糖。所述的葡聚糖和/或聚蔗糖可显著降低多晶硅的去除速率,但不影响二氧化硅的去除速率,从而降低多晶硅与二氧化硅的选择比,减少凹陷,显著提高多晶硅的平坦化效率。

其中,所述的聚蔗糖的分子量较佳的为5000~800000,更佳的为5000~20000;所述的葡聚糖的分子量较佳的为10000~2000000,更佳的为10000~1000000。

所述的抛光液的pH值较佳为7~12。

本品的抛光液中,还可以含有本领域其他常规添加剂,如pH调节剂、黏度调节剂和消泡剂等。所述pH调节剂可选用本领域常规的pH调节剂,如氢氧化钾、氨水和硝酸等。

产品应用

本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

本品的抛光液具有较低的多晶硅去除速率和多晶硅对二氧化硅的去除速率选择比,可减少凹陷,显著提高多晶硅的平坦化效率。


本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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