化学机械抛光液（21）

本品的化学机械抛光液（21）可满足阻挡层抛光过程中用化学方法调整绝缘层材料和金属抛光选择比的要求，避免通过增大磨料粒子含量达到相同目的而引起的表面污染物残留等问题，从而提供满足工艺要求和光滑平整的表面形貌。下面，科普化学机械抛光液（21）的专业配方知识。

制备方法

将各组分简单均匀混合，之后采用氢氧化钾、氨水或硝酸调节至合适的pH值，即可制得抛光液。

原料配伍

本品各组分质量份配比范围为：磨料2～16、氧化剂0.1～10、含氮有机物0.01～1、水加至100。

磨料最佳的为SiO₂和/或Al₂O₃。氧化剂可以选自过包括有机氧化物（如过氧化氢、过氧化钠等）和有机过氧化物（如过氧化苯甲酰），以及过硫化物（如过硫酸钠、过硫酸铵等）等。通常情况下，氧化剂浓度的增高或降低可以相应地增加或减小金属（尤其是铜）的去除速率。实际应用中，通常采用双氧水为氧化剂，并通过调节双氧水的浓度来调节金属的去除速率。

含氮有机物的添加可提高TEOS的去除速率，而使得以增大磨料粒子含量的方法达到相同目的而引起的表面污染情况降至最低。通常磨料粒子的含量大于15%就可能引起表面划伤和颗粒物残留等表面问题。

其中，所述的含有1～4个氮原子的杂环化合物及其衍生物优选自吡啶、嘧啶、哌啶、哌嗪、噻唑、三唑、四唑，以及上述化合物的衍生物中的种或多种，所述的衍生物较佳的为带巯基和/或氨基的衍生物，优选化合物为-5羧基3-氨基1，2，4-三氮唑、2-氨基嘧啶、3-氨基-1，2，4-三氮唑、 5-巯基3-氨基-1，2，4-三唑、二巯基苯丙噻唑、六水哌嗪、甲基苯丙三氮唑、 2，3-二氨基吡啶和1-苯基5-巯基四氨唑中的种或多种。其中，所述的胺类化合物优选自乙二胺、二亚乙基三胺和多亚乙基多胺中的种或多种。

本品的抛光液的pH值较佳的为1～7，更佳的为2～5。

本品的抛光液还可进步含有其他本领域常见的添加剂，例如络合剂、缓蚀剂、杀菌剂、稳定剂和表面活性剂等。

产品应用

本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

性本品的抛光液在较低的磨料粒子含量下具有较高的阻挡层材料（Ta或TaN）的去除速率，与未添加含氮有机物的抛光液相比显著提高绝缘层材料（TEOS）的去除速率，以及约为100~500A/min范围内的低介电材料（BD）的去除速率。本品的Cu的去除速率可通过升高或降低氧化剂含量而相应的升高或降低。本品的抛光液可满足阻挡层抛光过程中用化学方法调整绝缘层材料和金属抛光选择比的要求，避免通过增大磨料粒子含量达到相同目的而引起的表面污染物残留等问题，从而提供满足工艺要求和光滑平整的表面形貌。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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