化学机械抛光液（22）

本品的化学机械抛光液（22）在酸性和碱性条件下均可提高多晶硅的去除速率以及多晶硅对二氧化硅的抛光选择比，也可用于单晶硅的抛光，提高单晶硅的去除速率。下面，科普化学机械抛光液（21）的专业配方知识。

制备方法

将各组分混合均匀，采用氢氧化钾和硝酸调节至合适pH值即可得到抛光液。

原料配伍

本品各组分质量份配比范围为：研磨颗粒0.1～30、唑化合物0.0001～20、水加至100。

所述研磨颗粒可选自二氧化硅、氧化铝、掺杂铝的二氧化硅、覆盖的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛和高分子研磨颗粒中的种或多种。 述的研磨颗粒的粒径较佳的为20~150nm，更佳的为30～120nm。

所述的唑类化合物较佳的为三氮唑及其衍生物和盐、四氮唑及其衍物和盐中的种或多种。所述的三氮唑及其衍生物较佳的为1，2，3-三唑、5-巯基1，2，3三氮唑、苯并三氮唑、5-氯代苯并三氮唑、5-羧基苯三氮唑、-5甲基苯并三氮唑、1，2，4三氮唑、1，2，4三氮唑3-甲酸胺1,2,4-三氮唑-3-羧酸、3-巯基1,2,4-三氮唑、3-氨基1，2,4-三氮唑、3-基1,2,4-三氮唑5-羧酸、3-氨基5-巯基1,2,4-三氮唑、-3硝基1,2,4-氮唑、4-氨基1，2,4-三氮唑、3-巯基4-甲基1，2，4-三氮唑、3，5-二氨基1,2,4-三氮唑、1,2,4-三氮唑3-羧酸甲酯和5-氨基1,2,4三氮唑-3羧甲酯中的种或多种。其中，所述的四氮唑及其衍生物较佳的为1H-四氮唑、 1H-四氮唑-5-甲酸乙基、5-苯基四氮唑、-5甲硫基四氮唑、1-甲基-5-巯基-1H-四氮唑、5-氯甲基-1H-四氮唑、5苄基四氮唑、5-苄硫基四氮唑5-氨基四氮唑、2-甲基5-氨基2H-四氮唑、-5甲硫基四氮唑、5-乙硫基氮唑、1-羟乙基5-巯基四氮唑、1-苯基5-巯基四氮唑、四氮唑乙酸、1-乙基-5-巯基四氮唑和4-羟基苯基-5-巯基四氮唑中的种或多种。其中，所述的盐为钠盐或钾盐。

所述的唑类化合物在酸性和碱性条件下皆可提高多晶硅的抛光速率， 优选的pH值范围为8～12。

本品的抛光液中，还可以含有本领域其他常规添加剂，如pH调节剂、黏度调节剂和消泡剂等。

产品应用

本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

本品的抛光液在酸性和碱性条件下均可提高多晶硅的去除速率以及多晶硅对二氧化硅的抛光选择比，本品的抛光液也可用于单晶硅的抛光，提高单晶硅的去除速率。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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