化学机械抛光液（29）

本品化学机械抛光液（29）的化学方法提高了对介质材料的去除速率，可以减少了材料表面污染物的数量，减少了微小划伤对器件性能所造成的影响，对氧化硅的表面形貌有较好的修正。同时在相对较低的磨料粒子含量(质量分数10%~20%)下具有较高的氧化硅去除速率和较高的平坦化效率，材料表面无划伤，无腐蚀。下面，科普化学机械抛光液（29）的专业配方知识。

制备方法

将各组分简单混合均匀，采用氢氧化钾、氨水和硝酸调节至合适的pH值，即可得到抛光液。

原料配伍

本品各组分质量份配比范围为：研磨颗粒4～30、有机盐0.01～1、水加至100。

所述的磨料颗粒较佳的选自二氧化硅(如二氧化硅溶胶颗粒)、氧化铝、氧化铈和聚合物颗粒中的一种或多种；优选二氧化硅溶胶颗粒；所述的磨料颗粒的粒径较佳的为10～200nm，更佳的为20～150nm，最佳的为30～80nm。

所述的有机盐为氧化硅的抛光促进剂，是用于提高二氧化硅介质材料去除速率的化学添加剂。

所述有机盐包括下述中的一种或多种：脂肪胺的盐酸盐、脂肪胺的硫酸盐、酰胺的盐酸盐、酰胺的硫酸盐、氨基酸的盐酸盐和氨基酸的硫酸盐。

本品中，所述的脂肪胺较佳的为C₁~C₁₀脂肪胺，优选乙胺、乙二胺或三乙胺，更佳的为乙二胺；其中，C₁~C₁₀脂肪胺是指含1～8个碳的，由直链烃基、带有侧链的烃基和环状烃基中的一种或多种取代的饱和或不饱和脂肪胺，可以有一个或多个氮原子。

所述的酰胺较佳的为C₁~C₁₀酰胺，优选甘氨酰胺、丙氨酰胺、苏氨酰胺或水杨酰胺。最优选试剂为甘氨酰胺盐酸盐。其中，C₁~C₁₀酰胺是指含1～10个碳的，由直链烃基和/或带有侧链的烃基取代的酰胺，可以有一个或多个酰胺基，上述烃基可以带有羟基、羧基、氨基、醛基、烷氧

基或羰基等取代基。

所述的氨基酸较佳的为甘氨酸、谷氨酸、色胺酸或胱氨酸，更佳的为甘氨酸。

本品中，所述的化学机械抛光液在酸性或碱性条件下均可以使用，pH值更佳的为1～3或10～12。

本品的化学机械抛光液还可含有其他本领域的常规添加剂，如杀菌剂、防霉剂、浆料稳定剂以及黏度调节剂等。

产品应用

本品主要应用于层间介电质(ILD)的化学机械抛光。

产品特性

与现有的化学机械抛光液相比，本品用化学方法提高了化学机械抛光液对介质材料的去除速率，减少了材料表面污染物的数量，减少了微小划伤对器件性能所造成的影响，对氧化硅的表面形貌有较好的修正。本品的化学机械抛光液还可以在相对较低的磨料粒子含量(质量分数10%~20%)下具有较高的氧化硅去除速率和较高的平坦化效率，材料表面无划伤，无腐蚀。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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