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化学机械抛光液(39)

2024-08-05 16:01:45        作者:李东光    浏览:

本品化学机械抛光液39)在抛光过程中不会产生泡沫,不影响抛光速率。同时通过调节使用不同的端基以及聚烧氧基中的重复单元的数目,能达至不同的二氧化硅与多品硅的选择比,具有较高的实用价值。下面,专家给大家科普本品的化学机械抛光液(39)的专业配方知识。

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制备方法 
将各组分混合均匀,用KOH 调节至所需pH 值,即为抛光液。

原料配伍 
本品各组分质量份配比范围为:二氧化硅5~30、表面活性剂0.0025~0.1、去离子水加至100。

所述的二氧化硅为本领域常用的化学机械抛光液磨料。二氧化硅的粒 径较佳的为20~120nm。

所述表面活性剂为硅氧烷封端的聚环氧烷。

其中,所述的烷基取代的硅氧烷封端的聚环氧烧中,聚环氧烷中的重所述表面活性剂为硅氧烷封端的聚环氧烷。复单元较佳的为乙氧基和/或丙氧基。烷基取代的硅氧烧中,烷基取代基的碳原子数较佳的为1~3,取代基更佳的为甲基。取代基的基团数较佳的为1、2或3。聚环氧烧中的重复单元数较佳的为3~25,更佳的为3~9。

产品应用

本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

一本品的抛光液在抛光过程中不会产生泡沫,不影响抛光速率。

通过调节使用不同的端基以及聚烧氧基中的重复单元的数目,能达至不同的二氧化硅与多品硅的选择比,具有较高的实用价值。如重复单元数越多,对聚合物的去除速率抑制越大。要达到较高的多品硅去除速率就要选择大于9以上的重复单元数。要达到较高的多品硅去除速率,二甲基氧烷与三甲基硅氧烷的效果更好,若要有更高的多晶硅去除速率,则要选择三甲基硅氧烷。


本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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