本品化学机械抛光液(55)降低了溶胶型二氧化硅的颗粒粒径,也降低了对抛光材料的过度研磨,让金属的抛光效果更细腻。下面专家来科普本品化学机械抛光液(55)的专业配方知识。
制备方法
将各组分混合均匀,用KOH调节到所需的pH值,即为抛光液。
原料配伍
本品各组分质量份配比范围为:二氧化硅溶胶颗粒15~38、有机酸酸和/或有机膦酸类化合物0.2~3、硝酸钾0.2~3、表面活性剂0.005~0.05、去离子水加至100。
所述的二氧化硅胶体颗粒的粒径较佳的为20~45nm。
所述有机羧酸和/或有机膦酸类化合物中,所述的有机羧酸为分子中具有羧基的化合物,较佳的为碳原子数2~6的二元和三元羧酸的一种或多种,更佳的为草酸、酒石酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和柠檬酸中的一种或多种。所述有机膦酸类化合物为羟基亚乙基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、2-膦酸丁烷基-1,2,4-三羧酸和多氨基多醚基亚甲基膦酸中的一种或多种。
所述表面活性剂较佳的为非离子型和/或两性型表面活性剂,更佳的为月桂酰基丙基氧化铵、十二烷基二甲基氧化铵(OA-12)、椰油酰胺基丙基甜菜碱(CAB-30、CAB-35)、吐温20、十二烷基二甲基甜菜碱(BS-12)和椰油脂肪酸二乙醇酰胺(6501)中的一种或多种。
使用非离子型或两性型表面活性剂时,通过调整表面活性剂的种类,能够得到不同的多晶硅去除速率,从而实现调节多晶硅去除速率的目的。如,十二烷基二甲基甜菜碱对多晶硅的去除速率很大,而椰油酰胺基丙基甜菜碱的多晶硅去除速率低,同时使用这两种表面活性剂,得到的多晶硅去除速率介于单独使用时的去除速率之间。
根据工艺实际需要,可向本品的抛光液中添加本领域常规添加的辅助性试剂,如黏度调节剂、醇类或醚类试剂、杀菌剂等。
本品的抛光液的pH值较佳的为9~12,最佳的为9.5~10.5。
产品应用
本品主要用作化学机械抛光液。
产品特性
本品的抛光液对氧化物电介质有较高的抛光速率。在本品一较佳实例中,在抛光液中二氧化硅含量较低的情况下,仍能达到较高的去除速率。抛光液的成本较低,也大大降低了溶胶型二氧化硅的颗粒粒径,减小对抛光材料的过度研磨,使得抛光效果更细腻。
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