化学机械抛光液（56）

本品化学机械抛光液（56），通过加入速率增助剂，提高了二氧化硅去除速率，进而将抛光液中磨料的使用量降低，达到降低成本的作用。下面专家来科普本品化学机械抛光液（56）的专业配方知识。

制备方法 将各组分混合均匀，用pH调节剂调到所需的pH值，即为抛光液。

原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：二氧化硅10～20、速率增助剂0.05～4、表面活性剂(200～400)×10-⁶、去离子水加至100。

所述的溶胶型二氧化硅为单分散的二氧化硅胶体颗粒的水溶液体系，所述溶胶型二氧化硅粒径为10～25nm。

所述速率增助剂指能够增加二氧化硅抛光速率的物质，较佳的为有机羧酸及其盐，以及有机膦酸及其盐中的一种或多种；更佳的为碳原子数目为2～8的多元羧酸及其盐和一取代的有机膦酸及其盐中的一种或多种；最佳的为酒石酸钾、乙二胺四乙酸、氨三乙酸、亚氨基二乙酸和2-羟基膦酰基乙酸(HPAA)中的一种或多种。

所述表面活性剂较佳的为非离子型和/或两性型表面活性剂，更佳的为月桂酰基丙基氧化铵、十二烷基二甲基氧化铵(OA-12)、椰油酰胺基丙基甜菜碱(CAB-30、CAB-35)、吐温20、十二烷基二甲基甜菜碱(BS-12)和椰油脂肪酸二乙醇酰胺(6501)中的一种或多种。

使用非离子型或两性型表面活性剂时，通过调整表面活性剂的种类，能够得到不同的多晶硅去除速率，从而实现调节多晶硅去除速率的目的。如，十二烷基二甲基甜菜碱对多晶硅的去除速率很大，而椰油酰胺基丙基甜菜碱的多晶硅去除速率低，同时使用这两种表面活性剂，得到的多晶硅去除速率介于单独使用时的去除速率之间。

根据工艺实际需要，可向本品的抛光液中添加本领域常规添加的辅助性试剂，如黏度调节剂、醇类或醚类试剂、溶胶型二氧化硅稳定剂、杀菌剂等。

本品的抛光液的pH值较佳的为9～12,更佳的为10.5～12。
       产品应用 本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性 本品的抛光液对氧化物电介质有较高的抛光速率，而对其他材料(如多晶硅和氮化硅)具有较低的抛光速率，使得本品的抛光液具有良好的选择比，选择比为(2～10):1。

本品中引入速率增助剂，获得了较高的二氧化硅去除速率，从而降低抛光液中磨料的使用量，从而降低成本。

本品优选的实施例中使用了非离子型和两性型表面活性剂，能够得到不同的多晶硅去除速率，从而实现调节多晶硅去除速率的目的。

本品大大降低了溶胶型二氧化硅的颗粒粒径，减小对抛光材料的过度研磨，使得抛光效果更细腻。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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