本品的化学机械抛光液(57)对Cu的去除速率和双氧水含量变化比较敏感。加入阳离子表面活性剂、季铵盐型表面活性剂和非离子型表面活性剂后,本品化学机械抛光液(57)对阻挡层Ta发挥较低的去除速率,在抛光过程中可使得铜的抛光在软着陆阶段停止在阻挡层上面,适合软着陆或阻挡层的抛光。
制备方法 将各组分混合均匀,即可制得抛光液。
原料配伍 本品各组分质量份配比范围为:磨料0.1~20、氧化剂 0.1~10、络合剂0.1~5、表面活性剂(10~1000)×10-⁶、pH 调节剂 0.001~0.15、水加至100。
所述的磨料可选用本领域常用磨料,如SiO₂和 Al₂O₃等。
所述络合剂为三氮唑、碳原子上含有给电子取代基的三唑化合物、嘧 啶、嘧啶衍生物、哌嗪和哌嗪衍生物中的一种或多种。
其中,所述的三氮唑较佳的为1,2,4-三氮唑;所述的碳原子上含有给 电子取代基的三唑化合物较佳的为5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑或3-氨基- 1,2,4-三氮唑;所述的嘧啶衍生物较佳的为乙胺嘧啶;所述的哌嗪衍生物 较佳的为六水哌嗪。
所述表面活性剂为阳离子表面活性剂、季铵盐型表面活性剂和非离子 型表面活性剂中的一种或多种。其中,所述的阳离子表面活性剂较佳的为分子量为2000~50000的聚乙烯亚胺;所述的季铵盐型表面活性剂较佳的为十六烷基三甲基氯化铵;所述的非离子型表面活性剂较佳的为聚乙二醇。添加上述表面活性剂后,本品的抛光液对阻挡层Ta具有较低的去除速率,在抛光过程中可使得铜的抛光在软着陆阶段停止在阻挡层上面。本品的抛光液还可含有本领域其他常规添加剂,如缓蚀剂、杀菌剂、防霉剂和有机溶剂等。
本品的抛光液的pH值较佳的为1~7,更佳的为2~5。
产品应用 本品主要用作化学机械抛光液。
产品特性 本品的抛光液对Cu的去除速率和双氧水含量变化的敏感度较高。添加阳离子表面活性剂、季铵盐型表面活性剂和非离子型表面活性剂后,本品的抛光液对阻挡层Ta具有较低的去除速率,在抛光过程中可使得铜的抛光在软着陆阶段停止在阻挡层上面,适合软着陆或阻挡层的抛光。大大降低了溶胶型二氧化硅的颗粒粒径,减小对抛光材料的过度研,使得抛光效果更细腻。采用本品的抛光液抛光后,铜表面比较光滑表面形貌较好。
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