本品金属铜的抛光液(2)可以在短时间内去除大部分的Cu,且在低压力的状态下有较低的Cu去除速率,尤其适合在缓慢去除阶段的抛光,下面专家来科普金属铜的抛光液(2)的专业配方知识。
制备方法
将各组分单混合均,之后采用氢氧化钾、氨水和硝酸,PH调节剂调节至合适的pH值即可。
原料配伍
本品各组分质量份配比范围为:料0.1~20、氧化剂等0.1~10、络合剂0.1~5、水加至100。
所述磨料可选用本领域常用磨料,如SiO2,和Al2O3,等。所述氧化剂较佳的选自有机或无机过氧化物和/或过硫化物,优选过氧化氢、过硫酸盐或过氧化苯甲酰。
所述络合剂选用嘧啶及其衍生物、带氨基和/或巯基的三环、哌啶及其衍生物、哌嗪及其衍生物。
其中,所述的络合剂较佳的选自乙胺嘧啶、4-氨基-1,2,4-三氮唑、5-巯基-3-氨基-1,2,4-三唑、哌啶、2-哌啶甲酸和六水哌嗪中的一种或多种。
上述络合剂在低下压力的条件下,可在铜表面形成一层保护膜,阻止Cu的去除,使得Cu去除速率较低,当增大压力后,形成的保护膜在磨料粒子的机械力作用下受到破坏,使得与铜离子的络合反应快速进行,而得去除速率大幅提高。
其中,当选用哌嗪及其衍生物(如六水哌嗪)时,本品的抛光液在高的下压力下具有较高的Cu去除速率,适合大量快速去除阶段的抛光,保证快速去除大部分Cu,节约时间;而在较低的下压力下该抛光液具有较低的Cu去除速率,适合缓慢去除阶段的抛光,可保证较好的表面形的同时使抛光停止在阻挡层上。
其中,当选用带氨基和/或疏基的三唑环(如5-疏基-3-氨基-1,2,4-三唑)时,本品的抛光液具有的Cu去除速率对下压力的变化最为敏感,但Cu去除速率相对较低。
本品的抛光液还可含有本领域常规添加剂,如成膜剂、表面活性剂和杀菌剂等。
本品的抛光液的PH值较佳的为1~7,更佳的为2~5。
产品应用
本品主要应用于金属铜的抛光。
产品特性
本品的抛光液具有的Cu的去除速率对下压力变化的敏感度较高。采用本品的抛光液抛光后,铜表面比较光滑,表面形貌较好,其中,选用六水哌嗪时的本品的抛光液在较高的下压力下具有较高的Cu去除速率,适合大量快速去除阶段的抛光,保证快速去除大部分Cu,缩短时间,而在较低的下压力下该抛光液具有较低的Cu去除速率,适合缓慢去除阶段的抛光,可保证较好的表面形貌的同时使抛光停止在阻挡板层上,选用5-巯基-3-氨基-1,2,4-三唑的本品的抛光液具有的Cu去除速率对下压力的变化最为敏感,但Cu去除速率相对较低。
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