浅沟槽隔离抛光液

本品浅沟槽隔离抛光液满足了对氧化物的反应性，抛光速率高，且容易取得氧化物与氮化物的高选择比的要求。以下专家来科普浅沟槽隔离抛光液的专业配方知识。

制备方法
       向水中加入表面活性剂、混合搅拌，把氧化铈缓慢加入含 表面活性剂的水溶液中，并搅拌均匀后静置4h以上，再在搅拌情况下缓 慢加入 pH 调节剂、螯合剂，加入聚羧酸混合搅拌，用pH调节剂调节pH 值在4~5的范围，过滤净化后包装。

原料配伍 
       本品各组分质量份配比范围为：氧化铈磨料1～50、pH  调节剂0.2～10、螯合剂0.1～5、表面活性剂0.01～5、特殊添加剂 0.1～10、去离子水加至100。

所述的pH调节剂为碱性有机胺或有机酸，碱性有机胺选用如三乙胺 和二异丁基胺中的至少一种，有机酸选用如乙二胺四乙酸和柠檬酸中的至 少一种。

所述的pH调节剂用来调节抛光液的pH 值为4~5，使二氧化硅处于良好的悬浮状态，提供稳定的抛光速率。采用的胺或酸不含金属类成分， 避免对硅片的沾污而影响以后的器件的性能。

所述的螯合剂为乙二胺四乙酸和柠檬酸及其盐中的至少一种。可以和前述流程带入的大量金属离子结合而除去，从而改善抛光片的质量。

所述的表面活性剂为醇醚类非离子类表面活性剂，如OP-10 、TX-10 中至少一种，可以优先吸附，形成长期易清洗的物理吸附表面，以改善表 面状态，同时提高质量传递速率，以降低晶圆的表面粗糙度。

所述特殊添加剂为聚羧酸、聚酰胺中的一种。

本品是通过沉淀法制备氧化铈磨料，具体实施步骤如下。

(1) 以硫酸铈、硝酸铵铈中至少一种为起始原料，加入沉淀剂(六亚甲基四胺、氨水、尿素、联胺中至少一种),利用高温沉淀法先制取氧化铈晶种，然后控制反应物浓度、沉淀剂滴入速率、晶种量、溶液的温度、pH 值、反应时间、搅拌速度等参数，按照沉淀法合成步骤获得了粒径可 控的氧化铈粉体。

(2)在所制备的氧化铈抛光液中加入特殊添加剂如聚羧酸和聚酰胺中 至少一种，以取得氧化物与氮化物的高选择比。

(3)在使用该抛光液时，先把所配制的抛光液和去离子水按1:10配 比。采用美国3800抛光机，抛光垫为Rodel1400，工 艺 参 数 6 0r/min 盘 速，抛光头速度50r/min，3psi下压力，流量150mL/min，温度 3 5 ~ 40℃，通过对产品(沉积约500nm 的二氧化硅及150nm  氮化硅的晶圆) 进行抛光。

产品应用  
       本品主要应用于浅沟槽隔离抛光。

产品特性  
        氧化物的抛光速率平均约120nm/min，氮化物的抛光速率平均约8nm/min， 此结果满足了其能对氧化物的反应性极强，具有高抛光速率，而且容易取得氧化物与氮化物的高选择比的要求。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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