本品的用于钽阻挡抛光的化学机械的抛光液能有效防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀,提高产品质量。下面专家来科普本品用于钽阻挡抛光的化学机械的抛光液的专业配方知识。
制备方法 将各组分在去离子水中混合均匀,采用氢氧化钾、氨水和 硝酸调节至合适的pH 值,即可制得抛光液。
原料配伍 本品各组分质量份配比范围为:研磨颗粒1~10、有机酸 0.01~1、聚丙烯酸类0.01~0.2、金属缓蚀剂0.005~1、季铵碱0.01~ 0.2、氧化剂0.001~1、去离子水加至100。
所述研磨颗粒选自氧化硅、氧化铝、氧化铈和/或聚合物颗粒中的一 种或多种,研磨颗粒为20~200nm。
所述有机酸选自草酸、丙二酸、丁二酸、柠檬酸、2-膦酸丁烷基-1, 2,4-三羧酸、羟基亚乙基二磷酸、氨基三亚甲基磷酸和/或氨基酸中的一 种或多种。
所述的聚丙烯酸类的分子量为1000~20000,优选2000~5000。
所述的金属缓蚀剂为唑类化合物。
所述的唑类化合物选自苯丙三氮唑、甲基苯并三氮唑、1,2,4-三氮 唑、3-氨基-1,2,4-三氮唑、4-氨基-1,2,4-三氮唑和/或5-甲基四氮唑中的一种或多种。
所述的季铵碱为铵和/或四丁基氢氧化铵。
所述的氧化剂选自过氧化氢、过氧化氢脲、过氧乙酸、过氧化苯甲酰、过硫酸钾和/或过硫酸铵中的一种或多种。
所述的化学机械抛光液的pH 值为2.0~5.0。
在本品中,所述的化学机械抛光液含有表面活性剂、稳定剂和/或系菌剂。
产品应用 本品主要用作钽阻挡抛光的化学机械的抛光液。
产品特性 本品的抛光液具有较高的阻挡层材料(Ta或 TaN)的去除速率。并有较高的 TEOS和低介电材料(BD)的去除速率,且Cu的去除速率可通过升高或降低氧化剂的含量而相应的升高或降低,满足阻挡层抛光过程中绝缘层材料和金属抛光速率选择比的要求。
本品的抛光液可以防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀,提高 产品良好率。采用本品的抛光液抛光后,晶圆具有完好的表面形貌和较低的表面污染物残留。
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