本品用于阻挡层抛光的化学机械抛光液可以防止抛光过程中金属的局部和整体的腐蚀，有效提高产品良好率，存储稳定性好。下面专家来科普本品用于阻挡层抛光的化学机械抛光液的专业配方知识。
制备方法 将各组分简单均匀混合，采用氢氧化钾、氨水和硝酸调节 至合适的pH 值即可。
原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：研磨颗粒1～20、氧化剂 0.001～5、成膜剂0.001～1、有机螯合剂0.001～5、稳定剂1～20、水加 至100。
所述的研磨颗粒较佳的选自二氧化硅(如二氧化硅溶胶颗粒)、氧化 铝、氧化铈和聚合物颗粒中的一种或多种；所述的研磨颗粒的粒径较佳的 为10～200nm, 更佳的为30～150nm, 最佳的为40～100nm。
所述的氧化剂较佳的选自过氧化氢、过氧化氢脲、过氧乙酸、过氧化 苯甲酰、过硫酸钾、过硫酸铵和硝酸铵中的一种或多种，更佳的为过氧化 氢；通过调节氧化剂的含量可调节Cu 的去除速率。氧化剂含量越高，Cu的去除速率越高；反之亦然。
所述的成膜剂较佳的指唑类有机物中的一种或多种，优选化合物为： 三唑及其衍生物，例如苯并三氮唑、吲唑、苯并咪唑、吲哚、甲基苯三 唑、羧基取代的苯并三唑甲酯、羧基取代的苯并三唑丁酯和羟基取代的苯 并三氮唑等；四唑及其衍生物，例如1H- 四氮唑、5-氨基四氮唑、5-甲基 四氮唑和1-苯基-5-巯基四氮唑等；噻唑及其衍生物，例如2-巯基苯并噻 唑和5-氨基-2-巯基-1,3,4-噻二唑等。其中，最佳的为苯并三氮唑及其衍 生物(如甲基苯丙三氮唑)。这些化合物可与铜离子形成不溶性配合物 提高铜的去除速率。
所述的稳定剂较佳的为脂肪醇和/或糖类化合物。所述的脂肪醇包括 一元醇和多元醇，较佳的为C₁ ~C₄ 的一元醇、二元醇和三元醇，优选乙 醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、乙二醇和丙三醇中的一种或多种。 所述的糖类化合物包括单糖、寡糖和多糖，较佳的为单糖及其衍生糖， 以及寡糖及其衍生糖，更佳的为葡萄糖、葡萄糖酸、果糖、甘露糖和麦 芽糖中的一种或多种。稳定剂可抑制磨料粒径的长大，增加浆料的稳 定性。
本品的抛光液还可含有其他本领域的常规添加剂，如杀菌剂、防霉剂 和润滑剂等。
本品的抛光液的 pH 值较佳的为 1 ～ 7 ,更佳的为2～5。可选用的pH 调节剂如氢氧化钾、氨水或硝酸等。
产品应用 本品主要应用于阻挡层抛光的化学机械抛光。
产品特性 本品的抛光液具有较高的钽的去除速率。本品的抛光液可 提高TEOS和低介电材料的(BD)去除速率，尤其是提高TEOS的去除
速率。
采用本品的抛光液抛光后，可以明显降低晶圆表面缺陷和污染物。
本品的抛光液可以防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀，提高 产品良好率。具有较好的存储稳定性。
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