超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液

本品超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液，可避免金属离子和大颗粒的引入，且能减少磨料的划伤等问题，下面专家来科普本品超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液的专业配方知识。

制备方法清洗容器和管道，采用18MΩ以上的超纯去离子水清洗反应器、管道和器具三遍：操作工人身体及手套、口罩及服装进行风浴超净处理，环境净化级别不低于千级。

将碱性pH调节剂和FA/0I型表面活性剂用18MΩ以上超纯去离子水稀释后通过负压逐渐吸入密闭反应器内，采用负压涡流法进行气体搅拌。pH调节剂加入量为直至抛光液达到pH值9~13即可。

通过负压向反应器内逐渐吸入粒径15~100mm的纳米级硅溶胶，含量至30%~50%，继续保持负压满流搅拌状态3min停止，待液面稳定后，打开排放阀灌装到洁净容器中密封好。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：碱性pH调节剂0.5~0.6、18MΩ以上超纯去离子水5~6.2、FA/0I型活性剂0.3~0.4、粒径15~100mSiO₂，水溶胶3~4

反应器材质选用无机玻璃，管道系统材质选用无污染的聚丙烯、聚乙烯。

碱性纳米SiO₂，溶胶粒径15~100m，分散度小、硬度低，含量30%~50%。FA/01型活性剂为市售商品，由天津晶岭微电子材料有限公司生产销售的FA/0整合剂I型或FA/0表面活性剂。碱性pH调节剂可以是如三乙醇胺、乙二胺等有机碱。

采用方法的作用为：抛光液制备反应器采用密闭无机械负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；可使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，防止层流区pH值和硅溶胶含量过高而发生的凝聚或溶解而无法使用。

产品应用本品主要应用于集成电路硅衬底的化学机械抛光。

产品特性采用无机械的负压搅拌和非金属材质的密闭反应釜及管道，抛光液制备方法，可避免金属离子和大颗粒的引入；负压形成的涡流可减少反应釜壁及底部滞留层，促使pH调节剂及添加的原料试剂迅速混合均匀，避免出现局部pH值和浓度峰值而使SiO₂水溶胶凝聚或溶解；选用纳米SiO₂溶胶作为抛光液磨料，其粒径小(15～100nm)、含量高[30%~50%(质量分数)]、硬度小(对基片损伤度小)、分散度好，能够达到高速率高平整低损伤抛光、污染小，解决了Al2O3磨料硬度大易划伤、易沉淀等诸多弊端。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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