低介电材料抛光液

本品低介电材料抛光液，缓蚀效果好，Cu抛光速率较高、且可以调节，修复效果强。下面专家来科普本品低介电材料抛光液的专业配方知识。

制备方法 将各组分混合均匀即可。

原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：磨料2～20、速率增助剂0.1～3、氧化剂1～3、缓蚀剂0.005～3。所述磨料可为本领域常用的磨料，较佳的为掺铝二氧化硅或二氧化硅，其粒径较佳的为5～200nm，更佳的为10～100nm。

所述的速率增助剂含有羧基基团，但不包括氨基酸类化合物，较佳的为有机酸或有机酸盐，其中更优选酒石酸或酒石酸钾。所述的速率增助剂能够增加阻挡层，同时有效提高低介电材料和金属铜的抛光速率。

所述的缓蚀剂为除苯并三氮唑以外的缓蚀剂，较佳的选自下列中的一个或多个：5-氨基四氮唑(ATA)、5-甲基四氮唑和苯基巯基四氮唑。

所述的氧化剂为非铁型的氧化剂，例如双氧水，氧化剂采用质量份1～3时，更能显著提高Ta和CDO的抛光速率，同时保持金属铜的抛光速率基本不变，因此能够控制Ta和CDO与铜之间的选择比。所述的抛光液的pH值较佳的为10～12。

本品中，所述的抛光液还可进一步含有表面活性剂。所述的表面活性剂可为阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和两性离子表面活性剂。这些表面活性剂能够对Ta、CDO、TEOS和Cu的抛光速率作进一步的调整和控制。

产品应用 本品主要应用于低介电材料的抛光。

产品特性 本品的碱性抛光液对CDO和Ta有较高的抛光速率。其中主要有效成分为含有羧基基团的非氨基酸类的速率增助剂(如有机酸或有机酸盐)，以及较高量的非铁型的氧化剂。

采用除苯并三氮唑以外的缓蚀剂(如5-氨基四氮唑、5-甲基四氮唑和苯基巯基四氮唑)，与苯并三氮唑相比，具有更好的缓蚀效果，且使得该抛光液的Cu抛光速率较高且可调，可对晶片在前序制备过程中的缺陷有较强的修复作用。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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