多晶硅抛光液

本品多晶硅抛光液与现有技术相比，更好的解决了多晶硅碟形凹损缺陷及残留的问题，实现高平坦化度，无多晶硅残留，下面专家来科普本品多晶硅抛光液的专业配方知识。

制备方法将各组分简单混合均匀即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：研磨颗粒0.1～30、聚合物0.0001～5、络合剂0.0001。

所述研磨颗粒较佳的选自下列七种中的一个或多个：二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化锆、碳化硅、聚四氟乙烯（PTFE），和聚苯乙烯。

所述聚合物较佳的为聚氧乙烯型非离子表面活性剂。所述的聚氧乙烯型非离子表面活性剂较佳的为长链脂肪醇聚氧乙烯醚R₁O（C₂H₄O)_nH，

脂肪酸聚氧乙烯酯R₁COO（C₂H₄O)_nH、R₁COO（C₂H₄O)_nOCR₁或HO（C₂H₄O)_nH，烷基酚聚氧乙烯醚R₁C₆H₄O（C₂H₄O)_nH，聚乙氧烯烷基醇酰胺R₁CONHCH₂（C₂H₄O)_n-2OCH₂CH₂OH，聚氧乙烯烷基胺R₁N[CH₂CH₂O（C₂H₄O）_n-2CH₂CH₂OH]₂或吐温R₁C₇H₁₁O₆（C₂H₄O）_x+y+z，

其中R₁为烃基，n为10～1000的整数，x、y、z为10～1000的整数。

所述抛光液还可包含pH调节剂或络合剂。

产品应用本品主要应用于多晶硅抛光。

本品的应用中，抛光时，抛光头的压力范围较佳的为1～5psi（1psi=，6.9kPa）；抛光头的转速范围较佳的为10～150r/min；抛光垫的转速范围较佳的为10～150r/min。

产品特性，本品首次提供了重复单元中含有—（RO）—，或一（RCO0）—，基团（其中R为碳原子数为1～10的烷基）的聚合物在可实现自停止机制的多晶硅化学机械抛光液的制备及其使用中的新用途。此新用途，与现有技术相比，更好的解决了现有多晶硅抛光过程中二氧化硅沟道中多晶硅碟形凹损缺陷的发生，二氧化硅碟形凹损中的多晶硅残留的问题。此新用途，可通过一步抛光实现高平坦化度，无多晶硅残留，本品的新用途还具有工艺窗口宽的特点，可使生产率大大提高，生产成本大大降低。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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