含有混合磨料的低介电材料抛光液(1)

本品含有混合磨料的低介电材料抛光液，可以很好地调整低介电材料氧化硅(BD)与TEOS 的抛光速率的同时，防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀，提高产品质量。下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。

制备方法 
       将各组分混合均匀即可。

原料配伍 
      本品各组分质量份配比范围为：掺铝二氧化硅磨料0.5～15、第二种磨料0.5～15、阻蚀剂0.1～0.3、氧化剂0.2～0.4、速率增助 剂0.1～0.3、表面活性剂0.07～0.2。掺铝二氧化硅溶胶磨料的粒径较佳的是5～500nm,  更佳的是10～ 100nm。第二种磨料为二氧化硅，粒径较佳的是10～100nm。 抛光液的 pH值较佳的为2～12。阻蚀剂较佳的是苯并三唑。氧化剂较佳的是过氧化氢。速率增助剂较佳的是有机羧酸、有机羧酸盐、氨基酸或有机磷酸中的一种或多种；所述的速率增助剂更佳的是草酸、酒石酸、丁二酸、正丁 胺、酒石酸铵、五硼酸铵、甘氨酸或乙二胺四亚甲基磷酸中的一种或多种。

表面活性剂包括阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面 活性剂和两性离子表面活性剂；较佳的是聚丙烯酰胺、右旋糖苷、聚丙烯 酸、聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基三甲基溴化铵或四丁基氢氧 化铵中的一种或多种。

产品应用 
      本品主要应用于包含金属、阻挡层、二氧化硅和低介电材 料结构的集成电路。

产品特性 
     本品的抛光液可以较好地调整低介电材料氧化硅(BD)与TEOS 的抛光速率的同时，防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐 蚀，提高产品良好率。而且能应用在同时含有金属、掺碳二氧化硅 (CDO)和二氧化硅(TEOS)  结构的集成电路中。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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