本品化学机械抛光半导体晶片用的抛光液，经济环保，且去除率高，粗糙度 Ra 值可以控制杂在10A以，下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。
制备方法 取磨料铝溶胶，在强烈搅拌下，逐渐加入表面活性剂、分 散剂、螯合剂，再加入氧化剂，其余加入去离子水，并用氢氧化钾调节其 pH 值，且使最终的抛光液的pH 值为5,便制得本品的抛光液。
原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：磨料20～30、表面活性 剂5～10、分散剂6～9、螯合剂4～6、氧化剂1～5、去离子水加至100, pH 值调节剂调节pH 值为5。
磨料为硅溶胶或铝溶胶，其粒径为5～20nm。表面活性剂采用无金属 离子的脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、烷基醇聚氧乙烯醚、烷基 三甲基溴化铵、烷基磺酸铵或阴离子聚丙烯酸盐中的一种。分散剂采用聚 乙二醇、聚乙烯醇、聚丙烯酸盐、聚胺盐或聚羧酸盐中的一种。螯合剂采 用羟胺、胺盐、乙二胺四乙酸铵、柠檬酸铵或羟乙基乙二胺四乙酸铵中的 一种。氧化剂采用硝酸。pH 调节剂采用氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、四 甲基氢氧化铵、多羟基多胺或羟胺中的一种。
产品应用 本品主要用作抛光液。
产品特性 本品不腐蚀设备，不污染环境。抛光去除率高，达到 200nm/min, 抛光样品表面粗糙度低，可达到粗糙度 Ra 值在10A以下， 抛光液的配制方便，成本低，抛光后的表面无划痕和腐蚀坑等缺陷。
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