晶圆粗抛光液

本品晶圆粗抛光液利用一氧化硅磨料改变表面性质，好比如表面的物理和化学性能，并通过纯化，使其Na离子含量范围一0.07%，避免对晶片的沾污，下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。

制备方法 将各组分混合，搅拌均匀即可。

原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：二 氧 化 硅 磨 料 2 ~ 5 0 、pH调节剂0.2～10、整合剂0.1~5、表面活性剂0.01~5,去离子水加 至100。

所 述 的pH 调节剂为碱性有机胺，如三乙胺和二异丁基胺中的至少一种，用来调节抛光液的pH值，使二氧化硅处于良好的悬浮状态，提供稳 定的抛光速率。采用的胺不含金属类成分，避免对硅片的沾污而影响以后 的器件的性能。

所述的整合剂为乙二胺四乙酸和柠檬酸及其盐中的至少一种。可以和 前制程带入的大量金属离子结合而除去，从而改善抛光片的质量

所述的表面活性剂为醇醚类非离子类表面活性剂，如OP-10、TX-10等，可以优先吸附，形成长期易清洗的物理吸附表面。以改善表面状态同时提高质量传递速率，以降低晶圆的表而粗糙度。

产品应用 本品主要应用于光电及IC 行业的晶圆抛光。

产品特性 本品所采用的二氧化硅磨料在制备时通过对表面改性，改善其表面的物理和化学性能，粒径范围为40～60mm，并通过纯化，使其   Na  离子含量范围<0 .07%,避免对晶片的沾污而影响以后的器件的性能。 并用pH 调节剂调节pH 值范围为11.2～12.2,使抛光液处于稳定悬浮状态。

在使用该抛光液时，先把所配制的抛光液和去离子水的配比为SiO₂ 含量的2.5%,对磨片清洗后的硅片检查合格后，在采用美国3800型化 学机械抛光机、Rodel IC1400抛光垫的情况下，抛光压力200g/cm²,    转 速55r/min,  抛光流量200mL/min,  抛光温度48～50℃。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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