抛光低介电材料的抛光液

本品的抛光低介电材料的抛光液提升了Cu细线的保护性，能明显减少锯齿、凹陷、磨蚀和划痕等问题，有利于提高抛光芯片的电性能。下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。

制备方法 将各组分简单混合均匀，之后采用pH调节剂调节至合适的pH值，即可制得。

原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：二氧化硅2~15、混合缓蚀剂0.04～1、速率增助剂0.1～1、氧化剂0.05～1、表面活性剂0.02~0.5

所述二氧化硅的粒径较佳的为20~150nm,

所述的混合缓蚀剂较佳的选自苯并三唑、5-氨基四氮喹、5甲基四氮唑、疏基苯并噻唑、5-羧基苯并三氮唑、3-氨基-1,2,4-三氮唑和1,2,4三氮唑中的两种或多种，更佳的为苯并三唑和5-氨基四氮唑的混合缓蚀剂。所述的混合缓蚀剂中，各缓蚀剂的含量较佳的为混合缓蚀剂总质量的

10%～90%。

所述的速率增助剂较佳的选自有机酸、有机酸盐、氨基酸和胺类中的一种或多种，更佳的选自有机磷酸、酒石酸、酒石酸钾、甘氨酸和正丁胺中的一种或多种。

所述的氧化剂较佳的为过氧化氢。

所述的表面活性剂可选自阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和两性离子表面活性剂中的一种或多种，较佳的选自聚丙烯酸阴离子表面活性剂、孪生季铵盐阳离子表面活性剂、聚乙二醇非离子表面活性剂和甜菜碱两性表面活性剂中的一种或多种。

本品的抛光液的pH值较佳的为2～5。

产品应用 本品主要应用于抛光低介电材料的抛光。

产品特性 本品的抛光液可增强对Cu细线的保护，显著减少锯齿、凹陷、磨蚀和划痕等缺陷，改善抛光芯片的电性能。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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