硬盘磷化铟基板 CMP抛光液

本品硬盘磷化铟基板 CMP抛光液 可以避免有机物、金属离子、大颗粒的进入，利于降低金属离子的浓度，从而干扰硅溶胶凝聚。下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。

制备方法 将密闭反应器系统用去离子水负压涡流下清洗三遍。

在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节pH 值，加入胺碱、无机强碱试剂、用18MΩ以上超纯水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入，加入无机强碱，pH 值调节为9～12。

在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售 FA/O  活性剂，加入FA/O  活性剂；持续时间18min； 再逐渐加入天津晶岭微电 子材料有限公司销售FA/O 螯合剂。

将纳米 SiO₂ 溶胶用负压吸入反应器内并呈涡流状态，所述溶胶是粒径 15～100nm、分散度<0.001、莫氏硬度7的 SiO₂溶胶，含量30%～50%。

负压涡流状态下充分搅拌，搅拌时间为5～20min，均匀后进行灌装。

原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：胺碱100～200、无机强碱25～50、18MΩ以上超纯去离子水125～250、FA/O 活性剂15～50、 FA/O 螯合剂15～50、粒径15～25nm SiO₂溶胶3000～3200、去离子水 400～520。

所述 FA/O  活性剂为聚氧乙烯醚，是[C₁₅H₁ 5~19O(CH₂CH₂O)₅H]、 [C₂₀H₁5~19O(CH₂CH₂O)₅H] 、[C₄OH₁₅~19O(CH₂CH₂O)₅H]的复合物。

本品中采用方法的作用为：抛光液制备反应器采用负压搅拌的方法可  避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；纳米硅溶胶在负压 下呈涡流状态，先加入 FA/O活性剂可以改善抛光浆料稳定性，FA/O活性剂可以包覆后加入纳米SiO₂ 溶胶，加大研磨料之间的空位电阻使得胶体研磨料在适当提高pH值的情况下可长期稳定存在，避免了纳米 SiO₂  溶胶在pH 值大于12时产生溶解；防止层流区硅溶胶的凝聚或溶解而无法使用；可避免18MΩ以上超纯水溶解后的碱性pH 调节剂由于局部pH 值过高而导致凝聚，无法使用。

产品应用 本品主要应用于硬盘磷化铟基板CMP抛光。

产品特性  通过在负压状态下使反应器中的液体形成完全涡流状态， 对反应器中的液体实现搅拌，而且，反应器使用透明的非金属材料，能够 避免有机物、金属离子、大颗粒等有害物质进入到抛光液中，从而降低金 属离子的浓度，避免硅溶胶凝聚现象的出现。

活性剂在负压涡流状态下逐渐加入，FA/0  活性剂包覆加入的纳米 SiO₂ 溶胶，可提高硅溶胶对酸碱度变化的承受能力，在加入胺碱调节pH 值时不发生凝胶或溶解。

选用的反应器原材料为无污染的聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等。

采用本技术制备的高浓度、高pH值抛光液便于运输、储存，并可使 成本降低，并且本品方法简单易行。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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