用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液

本品用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液可明显提高抛光速率、对单晶硅片不产生表面缺陷、并降低表面粗糙度，从而实现对单晶硅片的高效超精化学机械抛光，保证单晶硅片表面精细质量。下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。

制备方法 将研磨颗粒加入搅拌器中搅拌，并加入纯水及其他各组 分，继续搅拌至均匀，然后静置30min 即得到所需的抛光液。

原料配伍  本品各组分质量份配比范围为：磨料0.1～20、螯合剂 0.1～2、分散剂0.1～5、活性剂0.1～5、pH调节剂0.01～10、纯水加 至100。

所述的磨料为SiO₂和 Al₂O₃的水溶胶颗粒、表面覆盖铝SiO₂ 水溶胶 颗粒的至少一种。所述磨料的粒径为30～160nm。

所述螯合剂为乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六 乙酸、次氮基三乙酸及其铵盐或钠盐中的至少一种。

所述分散剂为环氧乙烷-环氧丙烷嵌段共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇 与聚苯乙烯嵌段共聚物、聚丙烯酸及其盐(PAA)、  聚乙二醇(PEG)、 聚 乙烯亚胺(PEA) 、 季铵盐型阳离子表面活性剂中的至少一种。

所述活性剂为异构醇聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚中的至 少一种，分子通式分别为 R₁O(C₂H₄O)mH 、R₂O(C₂H₄O)m(C₃H₆O)nH，

其中R₁ 为C₁₀~C1₄  的烷基，R₂  为 C₁₀~C₁₈的 烷 基 ，m 和n 分别是环氧乙烷基和环氧丙烷的聚合数，聚合数为3～20。

所述 pH 调节剂为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化 铵、四丁基氢氧化铵、三甲基羟基氢氧化铵、三甲基羟乙基氢氧化铵、二 甲基二羟乙基氢氧化铵、二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇 胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺中的至少一种。

纯水是经过离子交换树脂过滤的水，其电阻至少是18MQ。 抛光液 pH值为9.0～12.0,更优为10～11.5。

产品应用 本品主要应用于单晶硅片化学机械抛光的抛光。

产品特性 本品可明显提高抛光速率(去除率达到710nm)、对单晶 硅片不产生表面缺陷、并降低表面粗糙度(可达0.18nm),  从而实现对单 晶硅片的高效超精化学机械抛光，保证单晶硅片表面精细质量。本品的抛 光液为碱性，抛光后清洗方便，对设备无腐蚀，延长设备使用寿命、降低 加工成本。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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