用于多晶硅抛光的化学机械抛光液

本品用于多晶硅化学机械抛光液在DRAM或者电容器以及层间介质的抛光中，调整了多晶硅材料的去除速率以及和其他硅基材料的选择比，避免了材料缺陷，使其达到了更好的表面形貌，实现了全局平坦化。下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。

         制备方法 将所需的表面活性剂溶于去离子水中后，缓慢加入磨料及 各组分，最后调整至所需的pH 值，即可制得化学机械抛光液。

原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：磨料颗粒2～30、表面活 性剂200×10-⁶、分散稳定剂0.01～1、去离子水加至100。

磨料颗粒选自气相法二氧化硅颗粒、二氧化硅溶胶、氧化铝溶胶、氧 化铈和/或高聚物颗粒中的一种或多种。所述的磨料颗粒的粒径为20~ 200nm,  优选为60～150nm。

表面活性剂为环氧乙烷缩聚物。选自脂肪醇聚氧乙烯缩合物、脂肪胺 聚氧乙烯缩合物、脂肪酸聚氧乙烯醚和/或聚乙二醇单甲醚中的一种或 多种。

本品中，所述的表面活性剂的HLB  值为7～15。该表面活性剂的作 用是调节多晶硅的去除速率。

分散稳定剂为聚丙烯酸和/或聚丙烯酸盐，如聚丙烯酸钠和/或聚丙烯 酸铵中的一种或多种，或者为多元醇磷酸酯 PAPE  和/或多氨基多醚基亚 甲基膦酸(PAPEMP),    分子量为2000～20000。

所述的化学机械抛光液含有杀菌防霉剂和 pH 调 节 剂 。pH 值为9~ 12,优选为10～11。

产品应用 本品主要应用于多晶硅抛光的化学机械抛光。

产品特性  在 DRAM 或者电容器以及层间介质的抛光中，调整了多 晶硅材料的去除速率以及和其他硅基材料的选择比，避免了材料缺陷，使 其达到了更好的表面形貌，实现了全局平坦化。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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