本品化学机械抛光液，是用于计算机硬盘基片抛光，成本低、分散度好、抛光效率高、清洗简单高效。下面专家来科普本品计算机硬盘抛光液的专业配方知识。
制备方法在连续搅拌下的硅溶胶中，缓慢依次加入螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、氧化剂、去离子水，搅拌至均匀得计算机硬盘基片抛光液。
原料配伍本品各组分质量份配比范围为：螯合剂0.5～5、pH调节剂0.5～5、硅溶胶58～90、表面活性剂0.5～5、氧化剂0.5～5、去离子水8～30。
硅溶胶其粒径为20～50nm、含量为40%～50%。螯合剂为FA/O(具有13个以上螯合环的无金属离子的溶于水的螯合剂)或EDTA。pH调节剂为羟多胺类有机碱，如三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、四羟乙基乙二胺。活性剂为非离子活性剂，如FA/O非离子活性剂、JFC型、O系列。氧化剂为碱性介质下可溶的过氧化物，如过氧化氢、过氧焦磷酸钠(Na4P₂O8·10H₂O)。
FA/O螯合剂不含钠离子且具有十三个以上螯合环。螯合剂的加入，增加了金属离子在浆料中的有效溶解度，有助于Ni及Ni氧化物颗粒的溶解，形成大分子可溶络合物，易于清洗，降低了颗粒对抛光表面的损伤或颗粒在活性抛光表面的再沉积，因而也就降低了表面损伤层。活性剂对颗粒也有控制作用，活性剂均匀的铺展在抛光表面，一方面，加强了抛光浆料的均匀一致性；另一方面，对颗粒有“托起”作用，使颗粒在表面为物理吸附。因为物理吸附的能量较小，颗粒易被湍流的浆料带走，从而提高了表面细腻性，有助于抛光后清洗的进行。
pH调节剂，在本品碱性抛光液中，碱的选择很重要。文献报道的抛光液中常使用NaOH、KOH等强碱作为pH调节剂。但是，这有一个很大的问题，碱金属离子在抛光过程中会进入衬底或介质层中，从而引起器件的局部穿通效应、漏电流增大等效应，使芯片工作的可靠性降低、器件寿命减小；并且，假如使用硅溶胶作为磨料，强电解质铜离子会使硅溶胶凝胶，从而使抛光液报废。本品选择不含金属离子的有机碱就解决了这些问题。有机碱作为pH调节剂，最高能将pH值调到12以上；并且还能充当缓冲剂，当抛光液局部pH值发生变化时，可以迅速释放本身的羟基调整pH值，使抛光液保持稳定的pH值，从而使氧化物表面处去除速率均匀，能得到较好的平行度。同时，当pH值>12.5时，SiO2胶粒被转化为可溶性水液，胶粒消失，起不到磨料作用，当加入有机胺可起到高pH值下使SiO₂稳定的作用，对提高浆料稳定性也有很重要的意义。
本品中SiO₂磨料其粒径小(25～50nm)、含量高(40%～50%)、硬度为6～7(对基片损伤度小)、分散度好，最大粒径不会超过粒径上限的5nm，可以解决硬盘基片磨料的划伤性问题；且流动性好、无沉淀、抛光后产物黏度小，后续清洗简单；且二氧化硅磨料无毒、无污染，是理想的磨料。
表面活性剂在基片抛光中起着非常重要的作用。它影响着抛光液的分散性、颗粒吸附后清洗难易程度以及金属离子沾污等问题。本品选用的活性剂不仅可以提高质量传递速率，提高凹凸速率差，以提高平整度；而且能降低表面张力，降低粗糙度，减少损伤雾，还可以优先吸附，形成长期易清洗的物理吸附表面，以改善表面状态。
氧化剂在抛光过程中可以将基片表面氧化成较软的氧化层，这样，在磨料的磨除作用下，能较容易的剥离下来，这样可以提高抛光速率。基片抛光液常用氧化剂有K₃[Fe(CN)₆]、Fe(NO₃)₃、KIO₃和双氧水等。K₃[Fe(CN)₆]、Fe(NO₃)₃会引入Fe³+，KIO₃会引入K+，形成离子沾污，影响器件性能，而且K₃[Fe(CN)₆]还有剧毒，这对应用于生产是非常不利的，并且会造成严重的环境污染。而本品所用的氧化剂，它不含金属离子，不会引起金属离子沾污；而且反应产物无污染，易于清洗。
产品应用本品主要应用于计算机硬盘基片化学机械抛光。
产品特性本品为碱性抛光液，对设备无腐蚀，并且硅溶胶稳定性好，从而解决了酸性抛光液污染重、易凝胶等诸多弊端；pH值9以上时，易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面。
本品中，抛光液在抛光过程中主要起到以化学作用为主的化学机械抛光，螯合剂的加入使得Ni容易形成大分子可溶有机物，而且形成物稳定，易于清洗；同时磷转化为可溶性磷酸盐；抛光液无毒、成本低；活性剂增加了高低选择比，大大降低了表面张力、减小了损伤层、提高了基片表面的均一性、使得表面凹凸差大大降低，从而有效地提高了交换速率，增强了运输过程，成为高平整高光洁表面；通过创造物理吸附物质为主的环境，控制基片表面长期处于易清洗的物理吸附状态，有效防止颗粒再沉积，实现集中高效清洗。
本品中SiO₂磨料其粒径小(25～50nm)、含量高(>40%)、硬度小(对基片损伤度小)、分散度好，能够达到高速率高平整低损伤抛光、污染小，解决了Al₂O₃磨料硬度大等诸多弊端；有效地解决了三氧化二铝为磨料时引起的划伤及后清洗困难的问题，提高产品的成品率；同时，也避免了酸性抛光液抛光中易产生的塌边现象的发生；后清洗简单，可以降低后清洗中的费用。
在抛光过程中，本品可以降低金属离子污染。
本品配方制造成本价格较低，使用效果可以取代进口产品。
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