本品抛光液，是用于半导体封盖层的抛光，对SiC 、TEOS 、SiON、 Si₃N等晶片绝缘层封盖，去除速率非常高，特别体现在TEOS和SiON。下面专家来科普本品半导体封盖层的抛光液的专业配方知识。
制备方法 将各组分经简单混合均匀，采用本领城常规pH 调节剂 (质量分数20%的稀硝酸)调至合适pH 值，即可制得本品的抛光液。
原料配伍 本品各组分质量份配比范围为，掺铝二氧化硅磨料1~ 20、有机酸0.1~2、水加至100。
掺铝二氧化硅磨料为溶胶型掺铝二氧化硅分散液。掺铝二氧化硅可提 高封盖材料SiC 和Si3N4的抛光速率。有机酸较佳的为多元羧酸和/或羟基羧 酸，优选实例为柠檬酸、酒石酸、草酸、2-羟基膦酰基乙酸和聚天冬氨酸中 的一种或多种；有机酸的添加可显著提高TEOS、SiON 材料的去除速率。
本品的抛光液的pH值较佳的为2~7。
本品的抛光液还可含有本领域其他常用添加剂，如氧化剂和/或缓蚀剂等。
产品应用 本品主要应用于半导体封盖层的抛光。
产品特性 本品用于抛光封盖层材料的抛光液对SiC 、TEOS 、SiON、 Si₃N4, 等常用晶片绝缘层封盖材料具有较高的去除速率，尤其可显著提高 TEOS 和SiON 的去除速率。
Copyright © 2021 深圳市恒享表面处理技术有限公司 All Rights Reserved 备案号：粤ICP备09192382号 技术支持：易百讯 - 深圳网站建设
