硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液

本品主要是用于硫系化合物相变材料氧化铈的化学机械抛光液，对于相变材料GexSbyTe(1-x-y),的抛光速率可以控制的效果，且对表面损伤小，抛光效果好，下面专家来科普本品化学机械抛光液的专业配方知识。

制备方法 将各组分溶于水，搅拌均匀，用pH调节剂调至所需的pH值即得抛光液。

原料配伍 本品各组分质量份配比范围为，氧化体颗粒0.2~30、氧化剂0.01~5、表面活性剂0.01~4、有机器加剂0.01~3，pH调节剂1~5、水加至100。

所述氧化铈抛光则粒为CeO2其粒径范围为10~1500mm。优选氧化铈抛光顺粒的粒径范围为30~200mm。氧化剂选自铁氰化钾或/和双氧水或/和过硫酸铵。

表面活性剂为阴离子型表面活性剂，选自聚氧乙烯硫酸钠(AES)聚烯酸钠或/和聚氧乙烯醚确酸脂。

有机添加剂为有机酸，选自乙酸，蚁酸，草酸、柠橡酸、对苯二酸水杨酸、脯氨酸、氢基乙酸、丁二酸或/和酒石酸

pH调节剂选自硝酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二铵或/和四甲基季铵。

所述pH调节剂的pH值范围为1~5。优选pH值的范围为2~4。

产品应用 本品主要应用于硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光。

产品特性 通过本品提供的氧化铈化学机械抛光浆液，相变材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y)的抛光速率可控制在5nm/min到1500nm/min,同时表面粗糙度降低到了7.4Å以下。

利用本品优化的高化学活性氧化铈化学机械抛光液对相变材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y)的进行速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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