磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液

本品磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液，可以在负压搅拌下避开杂质进入，同时能预防硅胶凝聚，硅胶稳定性好、抛光效率高、污染小、成本低。下面专家来科普本品抛光液的专业配方知识。

制备方法  将密闭反应器系统用去离子水负压涡流下清洗三遍；密闭反应器原材料选用无污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯；在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节pH值，无机强碱试剂用18MΩ以上超纯去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入，以使pH值为9～13；在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/O活性剂，持续时间15min；再加入FA/O螯合剂；将纳米SiO₂溶胶用负压吸入反应器内并呈涡流状态，所述溶胶是粒径15～100nm、分散度<0.001、莫氏硬度7的SiO₂溶胶，含量30%～50%；充分搅拌，搅拌时间为5~15min,均匀后进行灌装。

原料配伍   本品各组分质量份配比范围为：胺碱80～160、KOH20~40、18MΩ以上超纯去离子水100～200、FA/O活性剂10～40、FA/0螯合剂10～40、粒径15～25nm的纳米SiO₂溶胶800~3600、去离子水180~2720。

所述FA/O活性剂为聚氧乙烯醚，是[C₁₅H15~19O(CH₂CH₂O)₅H]、[C2₀H₁5~19O(CH₂CH₂O)₅H]、[C₄OH15-19O(CH₂CH₂O)₅H]的复合物。

所述FA/0螯合剂为乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)。

本品中采用方法的作用为：抛光液制备密闭反应器采用无污染的聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等原材料防止金属离子等污染物进入抛光液；采用负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；先加入FA/O活性剂可以改善抛光浆料稳定性，FA/O活性剂可以包覆后加入的纳米硅溶胶，增大研磨料之间的空位电阻使得胶体研磨料在适当提高pH值的情况下可长期稳定存在；可使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，防止层流区硅溶胶的凝聚或溶解而无法使用；可避免18MΩ以上超纯去离子水溶解后的碱性pH调节剂由于局部pH值过高而导致凝聚，无法使用。

产品应用 本品主要应用于磷酸氧钛钾晶体化学机械抛光。

产品特性 本品制备的碱性抛光液，可对设备无腐蚀，硅溶胶稳定性好，解决了酸性抛光液污染重、易凝胶等诸多弊端；pH值9以上时，易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面。

选用纳米SiO₂溶胶作为抛光液磨料，其粒径小(15～100nm)、含量高(30%～50%)、硬度小(莫氏硬度7,对基片损伤度小)、分散度好，能够达到高速率高平整低损伤抛光、污染小，解决了Al₂O₃磨料硬度大易划伤、易沉淀等诸多弊端。

选用的密闭反应器原材料为无污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯等，有效避免金属离子有害污染物的引入。

负压搅拌的抛光液制备技术可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；可使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，防止层流区硅溶胶的凝聚或溶解而无法使用；可避免18MΩ以上超纯水溶解后的碱性pH调节剂由于局部pH值过高而导致凝聚，无法使用。

采用本技术制备的高浓度、高pH值抛光液便于运输、储存，并可使成本降低。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光   更多表面处理文章，敬请关注公众号：易镀

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